| 摘要 |
<p>본 발명은 포토마스크(photomask)와 이러한 포토마스크를 사용하여 치수 제어된 레지스트 패턴(dimensionally controlled resist pattern)을 제공하는 방법을 개시한다. 치수 제어된 레지스트 패턴의 프로파일을 제공하기 위해, 레지스트 코팅을 그 위에 갖는 웨이퍼가 본 발명의 마스크를 이용하여 특별하게 제어된 디포커스 상태에서 노출되어 상기 마스크는 그 위에 적어도 하나의 차광 패턴(light shielding pattern)의 한 측부 상에 다중 위상 시프트 수단(multiple phase shifter means)을 포함하며 차광 재료(light shielding material)의 상기 측부에 다중 위상을 갖는 마스크를 통하여 광을 통과시켜 치수 제어된 레지스트 패턴 프로파일을 생산한다.</p> |
