发明名称 HIGH SPEED SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CAPABLE OF CHANGING DATA SEQUENCE FOR BURST TRANSMISSION
摘要 <p>본 발명은 메모리 영역에 데이터를 기록하고 메모리 영역으로부터 데이터를 독출하는 것이 가능한 반도체 메모리 장치를 제공하며, 이 반도체 메모리 장치는 데이터 기록 또는 독출 동작중에서 적어도 하나의 동작 동안에 복수개의 바이트로 구성된 단위 데이터의 시퀀스를 하나의 단위로 연속 전송되어지도록 스위칭하는 회로를 갖고, 메모리 영역의 지정된 어드레스에 따라서, 그 지정된 데이터에 대한 단위 데이터의 대응 데이터가 먼저 전송된 후, 나머지 데이터를 소정의 기본 주기 시퀀스로 연속 전송함으로써, 메모리 영역의 어떤 어드레스가 지정되게 되면, 복수개의 바이트로 구성된 단위 데이터가 메모리 영역에 접속된 워드선의 어떠한 스위칭 동작도 방해함이 없이 하나의 단위로 연속 전송된다.</p>
申请公布号 KR19990067772(A) 申请公布日期 1999.08.25
申请号 KR19990000174 申请日期 1999.01.07
申请人 null, null 发明人 가나가와아쓰시;가또요시유끼
分类号 G11C11/413;G06F12/08;G11C7/00;G11C7/10;G11C11/401;G11C11/407;G11C16/02 主分类号 G11C11/413
代理机构 代理人
主权项
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