发明名称 PLASMA CVD DEVICE
摘要 <p>상부전극의 주위에 부착력이 약한 반응 부생성물이 부착된 것에 의해 파티클(Particle)의 발생을 억제할 수 있도록 한 것이다. 플라즈마 화학증착 장치는 진공용기(200)와, 상부전극(210) 및 하부전극(220)을 갖는다. 상부전극(210)의 가스분산판(213)의 단부는 아래로 향한 완상(椀狀; 주발형상)으로 형성되어 있다. 그리고 그 단부는 하부전극(220)의 기판재치면(221)에 재치(載置; 놓여진)된 피처리기판(W)의 상면보다 아래에 연재(延在)되어 있다.</p>
申请公布号 KR19990067900(A) 申请公布日期 1999.08.25
申请号 KR19990000874 申请日期 1999.01.05
申请人 null, null 发明人 후나키카츠노리;히야마신
分类号 H05H1/46;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/50;C23C16/509;C23C16/54;H01J37/32;H01L21/205;H01L21/31 主分类号 H05H1/46
代理机构 代理人
主权项
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