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发明名称 flash memory and manufacturing method therefor
摘要 <p>데이터 소거가 플로팅 게이트의 코너 에지로부터 절연막을 통해 소거 게이트로 전자를 인출함으로써 수행되고, 상호 절연된 플로팅 게이트, 콘트롤 게이트 및 소거 게이트를 갖는 플래시 메모리에서, 플로팅 게이트와 소거 게이트간 절연막이 그 코너 부분에서 균일한 두께를 갖도록 형성된다.</p>
申请公布号 KR19990067709(A) 申请公布日期 1999.08.25
申请号 KR19990000015 申请日期 1999.01.02
申请人 null, null 发明人 가나모리고지
分类号 H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/336;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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