| 摘要 |
<p>압접형 반도체장치에 관한 것으로서, 접촉면의 높이의 편차를 흡수하고 또한 접촉계면에서의 열저항, 전기저항을 저감할 수 있도록 하기 위해서, 압접형 반도체장치에 있어서 한쌍의 주전극판, 한쌍의 주전극판 사이에 조립되고 제1의 주면에 적어도 제1의 주전극, 제2의 주면에 제2의 주전극을 갖는 적어도 1개의 반도체소자 및 반도체소자의 주전극과 주전극판 사이에 배치되고 그의 내부에 거시적인 공극을 갖는 금속체를 구비하는 구성으로 하였다. 이와 같은 구성으로 하는 것에 의해, 웨이퍼의 대구경화에 따른 패키지의 대형화나 대용량화에 대응하는 소자의 다칩 병렬화에 따라서 점점 곤란하게 되는 대면적 범위에서의 균일한 압접상태를 비교적 저압력으로 용이하게 실현 즉 접촉면의 높이 편차를 충분히 흡수할 수 있고 또한 접촉계면에서의 열저항, 전기저항을 저감할 수 있다는 효과가 얻어진다.</p> |
