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发明名称
PROCESS OF RECLAMATION OF SOI SUBSTRATE AND REPRODUCED SUBSTRATE
摘要
<p>절연층(3)을 개재하여, 반도체 베이스플레이트(2)와 단결정 반도체층(4)을 가지는 SOI기판은, 단결정 반도체층(4)을 제거하는 제 1제거스텝과, 절연층(3)을 선택적으로 제거하는 제 2제거스텝에 이해 재생된다. 이에 의해, SOI기판의 재생시에 재생된 베이스플레이트의 두께의 손실은 감소된다.</p>
申请公布号
KR19990068239(A)
申请公布日期
1999.08.25
申请号
KR19990003174
申请日期
1999.01.30
申请人
null, null
发明人
요네하라타카오;이토마사타카
分类号
H01L21/762
主分类号
H01L21/762
代理机构
代理人
主权项
地址
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