| 主权项 |
1.一种制造分离式闸极快闪记忆体之方法,该方法至少包含:形成一第一氧化层于一矽晶圆上;形成一第一多晶矽层于该第一氧化层上;形成一氮化层于该第一多晶矽层上;蚀去该氮化层之部份,以暴露出该第一多晶矽层之部份;热氧化该第一多晶矽层,以形成一多晶矽氧化层;蚀去该氮化层;以该多晶矽氧化层为罩幕,除去该第一多晶矽层之部份,以形成该第一多晶矽层之一第一剩余部份、以及该第一多晶矽层之一第二剩余部份,其中,该第一多晶矽层之该第一剩余部份位于该多晶矽氧化层的正下方,而该第一多晶矽层之该第二剩余部份不位于该多晶矽氧化层的正下方;形成一第二氧化层于该多晶矽氧化层及该第一多晶矽层之该第二剩余部份上;蚀去该第二氧化层之部份,以形成一氧化物间隙壁(oxide spacer)于该第一多晶矽层之该第二剩余部份上,其中上述之氧化物间隙壁紧邻于该第一多晶矽层之该第一剩余部份之侧壁上;以该多晶矽氧化层及该氧化物间隙壁为罩幕,除去部份的该第一多晶矽层之该第二剩余部份及部份的该第一氧化层,其中该第一多晶矽层之该第一剩余部份及未被蚀去的该第一多晶矽层之该第二剩余部份,构成一浮置闸(floating gate);形成一第三氧化层于该多晶矽氧化层、该矽晶圆及该氧化物间隙壁之上;形成一绝缘层于该第三氧化层上;形成一第二多晶矽层于该绝缘层上;除去部份第三氧化层、部份绝缘层及部份第二多晶矽层,其中该第三氧化层之剩余部份紧邻该第一多晶矽层之该第二剩余部份及该氧化物间隙壁之一侧壁,且位于该矽晶圆及该多晶矽氧化层顶端之部份表面上,而该绝缘层之剩余部份紧邻该第三氧化层之该剩余部份,该第二多晶矽层之剩余部份紧邻该绝缘层之该剩余部份。在此,该第二多晶矽层之该剩余部份系当作控制闸。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一氧化层之形成方法至少包含低压化学气相沈积法(LowPressureChemical Vapor Deposition, LPCVD)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一氧化层之形成方法至少包含电浆增强式化学气相沈积法(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一多晶矽层之形成方法至少包含低压化学气相沈积法。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮化层之形成方法至少包含低压化学气相沈积法。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮化层之形成方法至少包含电浆增强式化学气相沈积法。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之热氧化该第一多晶矽层的温度约为850-950℃。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之除去该第一多晶矽层之部份至少包含使用乾蚀刻法。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二氧化层之形成方法至少包含热氧化法。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之热氧化法的温度约为850-950℃。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之除去部份的该第一多晶矽层之该第二剩余部份及部份的该第一氧化层至少包含使用乾蚀刻法。12.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第三氧化层之形成方法至少包含低压化学气相沈积法。13.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第三氧化层之形成方法至少包含电浆增强式化学气相沈积法。14.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之绝缘层之形成方法至少包含低压化学气相沈积法。15.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之绝缘层之形成方法至少包含热氧化法。16.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二多晶矽层之形成方法至少包含低压化学气相沈积法。图式简单说明:第一图显示依据传统方法,于矽晶圆上依次形成一第一氧化层、一第一多晶矽层及一氮化层,然后蚀去部份氮化层之截面图。第二图显示依据传统方法,对第一多晶矽层进行氧化步骤,以形成一多晶矽氧化层于矽晶圆上之截面图。第三图显示依据传统方法,先蚀去氮化层,再以多晶矽氧化层为罩幕,蚀去第一多晶矽层之部份及第一氧化层之部份的截面图。第四图显示依据传统方法,依次形成一第二氧化层、一绝缘层及一第二多晶矽层于多晶矽氧化层及矽晶圆上之截面图。第五图显示依据传统方法,利用微影及蚀刻法,除去部份第二氧化层、部份绝缘层及部份第二多晶矽层之截面图。第六图显示依据本发明之一实施例,于矽晶圆上依次形成一第一氧化层、一第一多晶矽层及一氮化层,然后蚀去部份氮化层之截面图。第七图显示依据本发明之一实施例,对第一多晶矽层进行氧化步骤,以形成一多晶矽氧化层于矽晶圆上之截面图。第八图显示依据本发明之一实施例,蚀去氮化层,再以多晶矽氧化层为罩幕,蚀去第一多晶矽层之部份直到不在多晶矽氧化层正下方之第一多晶矽层厚度约为200-300埃为止的截面图。第九图显示依据本发明之一实施例,形成一氧化物间隙壁(oxide spacer)于第一多晶矽层之侧壁上的截面图。第十图显示依据本发明之一实施例,先以多晶矽氧化层及氧化物间隙壁为罩幕,蚀去部份的第一多晶矽层及部份的第一氧化层,然后依次形成一第三氧化层、一绝缘层及一第二多晶矽层于多晶矽氧化层、第一多晶矽层及矽晶圆上之截面图。第十一图显示依据本发明之一实施例,利用微影及蚀刻法,除去部份第三氧化层、部份绝缘层及部份第二多晶矽层之截面图。 |
