| 主权项 |
1.一种形成及抛光半导体基板上之膜层的方法,包括下列步骤:在半导体基板上形成第一膜层;将半导体基板及第一膜层置入附有包括第一区和第二区之抛光垫之抛光机内,其中每个第一区和第二区包括多个具有平均凸起半径及凸起高度标准偏差之凸起;第一区域具有一特征,包括:平均凸起半径至少40微米;凸起高度标准偏差不超过30微米;或均方根表面粗糙度不超过30微米;以及第二区域不具有:平均凸起半径至少40微米;凸起高度标准偏差不超过30微米;及均方根表面粗糙度不超过30微米;以及抛光第一膜层,其中执行此步骤使得第一膜层覆盖第一区但不覆盖第二区。2.一种在半导体基板上形成及抛光半导体基板上之膜层的方法,包括下列步骤:置放一邻接抛光垫之物件,其中该抛光垫包括第一区及第二区;在这步骤之前,每个第一区及第二区不具有:平均凸起半径至少40微米,凸起高度标准偏差不超过30微米,及均方根表面粗糙度不超过30微米;将物件压制在第一区域但不在第二区域,直到第一区域具有特征包括:平均凸起半径至少40微米;凸起高度的标准差不超过30微米;或均方根表面粗糙度不超过30微米;在半导体基板上形成图案化的第一膜层,其中图案化的第一膜层有一开窗;在图案化的第一膜层上及开窗内部形成第二膜层;及抛光第二膜层以移除位于开窗外部的第二膜层部份,其中执行此步骤使得第二膜层覆盖抛光垫的第一区,但不覆盖抛光垫的第二区。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该压制步骤在至少约69千巴斯卡的压力下执行。4.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其中该第一区具有下列所有特征:平均凸起半径至少40微米,凸起高度的标准差不超过30微米;以及均方根表面粗糙度不超过30微米。5.一种抛光半导体基板的方法,包括下列步骤:置入邻接包括第一区域及第二区域之抛光垫之物件;将物件压制在第一区域上而不是第二区上,其中:压制使得第一区域而不是第二区变形;及压制压力至少约69千巴斯卡;在半导体基板上形成图案化的第一膜层,其中图案化的第一膜层有一开窗;在图案化的第一膜层及开窗内部形成第二膜层;及抛光第二膜层以移除位于开窗外部的第二膜层部分;其中:执行此步骤使得第二膜层覆盖抛光垫的第一区域而不覆盖抛光垫的第二区域;及在不超过55千巴斯卡的压力下执行此步骤。图式简单说明:第一图与第二图包含抛光时(先前技艺)使用之抛光垫与半导体基板之截面与俯视图。第三图包含抛光时(先前技艺)使用之抛光垫之局部截面图及说明位于图案层之开窗内起伏之半导体基板之局部截面图。第四图及第五图包含抛光垫及根据本发明用以改良抛光垫之物件之截面与俯视图。第六图包含根据本发明形成改良式抛光垫之局部截面图。第七图包含根据本发明于抛光时使用之改良式抛光垫之局部截面图及说明邻接图案层开窗之半导体基板之局部截面图。第八图包含一块具有一层有开窗之图案层及另一覆于图案层及开窗内部之层膜之半导体基板之局部截面图。第九图包含根据本发明近抛光步骤末期第八图中改良式抛光垫与半导体基板之局部截面图。 |
