| 主权项 |
1.一种用于金属连续铸造的模具元件之铜或铜合金外表面的调理方法,该方法包括一于该表面镀镍之步骤及一由此表面除镍之步骤,其特征为:-进行该表面之准备,其包括完成一连串操作:清洗该裸面、将该裸面浸泡于氧化酸性介质内进行酸洗、及使该裸面光亮;-其次,将该元件置于一电解质中当成阴极,该电解质由每升含60至100克镍的胺基磺酸镍水溶液所组成,经由电镀进行该裸面之镀镍操作;-然后,在该元件已使用后,将该元件置于一电解质中当成阳极,该电解质由胺基磺酸镍水溶液所组成,其每升含60至100克之镍及20至80克之胺基磺酸,且pH値小于或等于2,而经由电解操作将元件表面所镀的镍部份地或完全地除去;-然后,再进行该表面新的镀镍。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在该元件已使用后,经由电解操作将该表面所镀的镍完全地除去,然后进行裸铜表面之准备,其包括完成一连串操作:清洗该裸面、将该裸面浸泡于氧化酸性介质内进行酸洗、及使该裸面光亮,之后再进行该表面新的镀镍。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中镀镍所用电解质之pH値维持在3及4.5之间。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中镀镍所用电解质每升也含30至40克硼酸。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其中镀镍操作系使用纯镍制的一个或一群可溶性阳极来进行,且所用电解质含有氯化物离子。6.如申请专利范围第1或2项之方法,其中镀镍所用电解质内含硫酸镁。7.如申请专利范围第1或2项之方法,其中于镀镍所用电解质也含有一防止坑洞剂。8.如申请专利范围第7项之方法,其中防止坑洞剂系阴离子界面活性剂。9.如申请专利范围第8项之方法,其中阴离子界面活性剂系烷基硫酸盐或烷基磺酸盐。10.如申请专利范围第1或2项之方法,其中镀镍操作系控制于每平方公寸3至20安培之阴极电流密度。11.如申请专利范围第1或2项之方法,其中镀镍所用电解质有加热。12.如申请专利范围第11项之方法,其中模具元件也有加热,其温度与镀镍所用电解质的温度接近。13.如申请专利范围第1或2项之方法,其中连续性或周期性地除去镀镍所用电解质中生成之硫酸盐。14.如申请专利范围第1或2项之方法,其中镀镍操作为一连续交替之过程,通电电镀持续数分钟,断电休息数秒钟。15.如申请专利范围第1或2项之方法,其中进行镀镍操作之前先经预镀镍操作,以便在置于阴极之模具元件上沉积一厚度为数微米的镍层。16.如申请专利范围第15项之方法,其中预镀镍操作系于一由胺基磺酸镍及胺基磺酸水溶液为基础所组成之电解质中进行。17.如申请专利范围第16项之方法,其中预镀镍操作系于阴极电流密度为每平方公寸4至5安培之条件中进行。18.如申请专利范围第15项之方法,其中预镀镍操作系于一以氯化镍及盐酸为基础,或称为「伍德浴」之电解质中进行。19.如申请专利范围第1或2项之方法,其中进行清洗操作之前,先经过一抛光模具元件表面之操作。20.如申请专利范围第1或2项之方法,其中清洗操作系一种于硷性介质中进行之化学清洗操作,及/或一种电解清洗操作。21.如申请专利范围第1或2项之方法,其中酸洗操作系在硫酸及过氧化氢之水溶液中进行。22.如申请专利范围第1或2项之方法,其中酸洗操作系在铬酸溶液中进行。23.如申请专利范围第1或2项之方法,其中使之光亮的操作系于胺基磺酸溶液中进行。24.如申请专利范围第1或2项之方法,其中除镍电解质每升含至少1克之氯化物离子。25.如申请专利范围第24项之方法,其中除镍电解质每升含5至20克之氯化物离子,且将镍由前述表面完全除去。26.如申请专利范围第1或2项之方法,其中除镍电解质每升含30至40克硼酸。27.如申请专利范围第1或2项之方法,其中除镍操作系于阳极电流密度为每平方公寸3至20安培之范围内进行。28.如申请专利范围第1或2项之方法,其中除镍操作系于设定电压下进行。29.如申请专利范围第1或2项之方法,其中进行除镍操作之前,先进行一机械操作,以将残余镍层部份地除去。30.如申请专利范围第1或2项之方法,其中连续或不连续地除去除镍电解质中所含之铜。31.如申请专利范围第1或2项之方法,其中模具元件系指连续铸造辊的双辊或单辊之套筒。32.如申请专利范围第31项之方法,其中至少某些操作进行时,套筒系固定于一心轴上,其水平置于装有处理溶液之槽上,以便将套筒的一部份浸泡于该溶液中,且操作中该心轴保持旋转。33.如申请专利范围第32项之方法,其中喷洒处理溶液于套筒未浸泡的部份。34.如申请专利范围第32项之方法,其中使用惰性气体来纯化环绕套筒未浸泡部分的气氛。 |
