| 主权项 |
1.一种上拉电路,包含:一P-通道类型的上拉电晶体,其具有一个经由一端来被连接至一滙流排的汲极、一源极、一闸极和一背闸极;及一控制电路,该控制电路控制该上拉电晶体以致于无电流系在一个由该汲极至该背闸极所形成的第一电流路径与一个由该汲极至该源极所形成的第二路径中流动。2.如申请专利范围第1项所述之上拉电路,其中,该控制电路控制该闸极和该背闸极以致于无电流在该第一和第二电流路径中流动。3.一种上拉电路,包含:一P-通道类型的上拉电晶体,其具有一个经由一端来连接至一滙流排的汲极、一个具有来自一第一电源供应线之第一电源供应电位V1的源极、一闸极和一背闸极;一第一电源供应电路,其形成一个大约与经由该端来从该滙流排施加至该汲极之电位Vx与该第一电源供应电位中之较高之一个相等的井电位并且设定该背闸极到该井电位;及一第二电源供应电路,其形成一闸极电位,所以该闸极电位在该电位Vx超过该第一电源供应电位时系大约与该电位Vx相等,而且系大约与由一第二电源供应线所供应的第二电源供应电位V2相同并且系比该第一电源供应电位低,该闸极系被设定至由该第二电源供应电路所形成的闸极电位。4.如申请专利范围第3项所述之上拉电路,其中,该上拉电晶体具有一临界准位,当该电位Vx超过该第一电源供应电位V1该临界准位时该上拉电晶体系被关闭而当该电位Vx系比该第一电源供应电位V1低该临界准位时该上拉电晶体系被打开。5.如申请专利范围第3项所述之上拉电路,其中,该第一电源供应电路包含:一第一切换元件,其系被设置于该第一电源供应线与该背闸极之间而且当Vx>V1时其系被关闭及当Vx<V1时其系被打开;及一第二切换元件,其系被设置于该端与该背闸极之间而且当Vx>V1时其系被打开及当Vx<V1时其系被关闭。6.如申请专利范围第5项所述之上拉电路,其中:该第一切换元件是为一第一P-通道电晶体,该第一P-通道电晶体具有一个被设定至由该第一电源供应电路所形成之井电位的背闸极,和一个被设定至该电位Vx的闸极;及该第二切换元件是为一第二P-通道电晶体,该第二P-通道电晶体具有一个被设定至该井电位的背闸极,和一个被设定至该第一电源供应电压V1的闸极。7.如申请专利范围第3项所述之上拉电路,其中,该第二电源供应电路包含:一第三切换元件,其系被设置于该端与该上拉电晶体的闸极之间且其系在Vx>V1时被打开及在Vx<V1时被关闭;一第四切换元件,其系被设置于该上拉电晶体的闸极与该第二电源供应线之间;及一切换控制电路,其在Vx>V1时关闭该第四切换元件且在Vx<V1时打开该第四切换元件。8.如申请专利范围第5项所述之上拉电路,其中,该第二电源供应电路包含:一第三切换元件,其系被设置于该端与该上拉电晶体的闸极之间且其系在Vx>V1时被打开及在Vx<V1时被关闭;一第四切换元件,其系被设置于该上拉电晶体的闸极与该第二电源供应线之间;及一切换控制电路,其在Vx>V1时关闭该第四切换元件且在Vx<V1时打开该第四切换元件。9.如申请专利范围第7项所述之上拉电路,其中:该第三切换元件是为一第三P-通道电晶体,其具有一个被设定至由该第一电源供应电路所形成之井电位的背闸极,和一个被设定至该电源供应电位V1的闸极;及该第四切换元件是为一第一N-通道电晶体,其具有一个由该切换控制电路所控制的闸极电位。10.如申请专利范围第7项所述之上拉电路,其中,该切换控制电路包含:一第五切换元件,其系被连接在该第一电源供应线与该第四切换元件的控制端之间且其系在Vx>V1时被关闭及在Vx<V1时被打开;及一第六切换元件,其系被连接于该第二电源供应线与该第四切换元件的控制端之间且其系在Vx>V1时被打开及在Vx<V1时被关闭。11.如申请专利范围第10项所述之上拉电路,其中:该第五切换元件是为一第四P-通道电晶体,其具有一个被设定至该电位Vx的闸极;及该第六切换元件是为一第二N-通道电晶体,其具有一个被设定到该闸极电位的闸极。12.如申请专利范围第10项所述之上拉电路,进一步包含:一第三N-通道电晶体,其系被设置于一第一节点与一第二节点之间且其具有一个被供应有一第三电源供应电位V3的闸极以致于该第三N-通道电晶体在该第四切换元件被打开时被打开,该第三切换元件和该上拉电晶体的闸极系被连接在该第一节点处,该第二和第六切换元件系被连接在该第二节点处;及一第四N-通道电晶体,其系被设置于该第五切换元件与该端之间而且系具有一个被供应有该第一电源供应电位V1的闸极。13.一种半导体装置,包含:一缓冲器,其系被连接至一端,一滙流排系被连接至该端;及一上拉电路,该上拉电路包含:一P-通道类型的上拉电晶体,其具有一个经由该端来被连接至该滙流排的汲极、一源极、一闸极和一背闸极;及一控制电路,该控制电路控制该上拉电晶体以致于无电流系在一个由该汲极至该背闸极所形成的第一电流路径与一个由该汲极至该源极所形成的第二路径中流动。14.如申请专利范围第13项所述之半导体装置,其中,该控制电路控制该闸极和该背闸极以致于无电流在该第一和第二电流路径中流动。15.一种半导体装置,包含:一缓冲器,其系被连接至一端,一滙流排系被连接至该端;及一上拉电路,该上拉电路包含:一P-通道类型的上拉电晶体,其具有一个经由该端来连接至该滙流排的汲极、一个具有来自一第一电源供应线之第一电源供应电位V1的源极、一闸极和一背闸极;一第一电源供应电路,其形成一个大约与经由该端来从该滙流排施加至该汲极之电位Vx与该第一电源供应电位中之较高之一个相等的井电位并且设定该背闸极到该井电位;及一第二电源供应电路,其形成一闸极电位,所以该闸极电位在该电位Vx超过该第一电源供应电位时系大约与该电位Vx相等,而且系大约与由一第二电源供应线所供应的第二电源供应电位V2相同并且系比该第一电源供应电位低,该闸极系被设定至由该第二电源供应电路所形成的闸极电位。16.一种系统,包含:一电路板;数个安装在该电路板上且经由一滙流排连接在一起的半导体装置,该数个半导体装置中之至少一个包括一上拉电路,该上拉电路包含:一P-通道类型的上拉电晶体,其具一个经由该端来被连接至该滙流排的汲极、源极、一闸极和一背闸极;及一控制电路,该控制电路控制该上电晶体以致于无电流系在一个由该汲极至该闸极所形成的第一电流路径与一个由该汲极至该源极所形成的第二路径中流动。17.如申请专利范围第16项所述之系统,其中,该控制电路控制该闸极和该背闸极以致于无电流在该第一和第二电流路径中流动。18.一种系统,包含:一电路板;数个安装在该电路板上且经由一滙流排连接在一起的半导体装置,该数个半导体装置中之至少一个包括一上拉电路,该上拉电路包含:一P-通道类型的上拉电晶体,其具有一个经由该端来连接至该滙流排的汲极、一个具有来自一第一电源供应线之第一电源供应电位V1的源极、一闸极和一背闸极;一第一电源供应电路,其形成一个大约与经由该端来从该滙流排施加至该汲极之电位Vx与该第一电源供应电位中之较高之一个相等的井电位并且设定该背闸极到该井电位;及一第二电源供应电路,其形成一闸极电位,所以该闸极电位在该电位Vx超过该第一电源供应电位时系大约与该电位Vx相等,而且系大约与由一第二电源供应线所供应的第二电源供应电位V2相同并且系比该第一电源供应电位低,该闸极系被设定至由该第二电源供应电路所形成的闸极电位。图式简单说明:第一图系具有装设有一习知上拉电路之半导体装置之系统的方块图;第二图系本发明之上拉电路的方块图;第三图系在第二图中所显示之上拉电路中所使用的第一电源供应电路;第四图A、第四图B和第四图C系在第二图中所显示之上拉电路之运作的波形图;第五图系在第二图中所颠示之上拉电路中所使用之第二电源供应电路的电路图;第六图系该第二电源供应电路之另一构形的电路图;及第七图系使用根据本发明所构形之半导体装置之系统的方块图。 |
