| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之电容器其下电极的制造方法,其中,该电容器系形成于一接触窗之上方;该电容器之下电极的方法包括下列步骤:于该接触窗上形成一绝缘层;定义该绝缘层,形成一双重金属镶嵌开口,裸露出该接触窗;于该双重金属镶嵌开口中之该绝缘层与该接触窗的表面上形成一掺杂非晶矽层;于该掺杂非晶矽层上形成一不具掺杂之非晶矽层;去除该绝缘层,以裸露出该掺杂非晶矽层与该不具掺杂之非晶矽层,形成该下电极之架构;以及于该掺杂非晶矽层与该不具掺杂之非晶矽层的表面形成一半球型矽晶粒层。2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器其下电极的制造方法,其中该掺杂非晶矽层与该不具掺杂之非晶矽层系在相同的反应室中形成。3.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器其下电极的制造方法,其中该掺杂非晶矽层系在温度约为500-540℃之间形成。4.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器其下电极的制造方法,其中该不具掺杂之非晶矽层系在温度约为470-530℃之间形成。5.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器其下电极的制造方法,其中该掺杂非晶矽层之杂质掺杂系在形成非晶矽的同时执行。6.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记传体之电容器其下电极的制造方法,更包括以化学机械研磨法研磨该掺杂非晶矽层与该不具掺杂之非晶矽层,暴露出该绝缘层之表面。7.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器其下电极的制造方法,其中该半球型矽晶粒层系于高真空下形成。8.如申请专利范围第2项所述之动态随机存取记忆体之电容器其下电极的制造方法,其中该半球型矽晶粒层系于高真空下形成。9.如申请专利范围第6项所述之动态随机存取记忆体之电容器其下电极的制造方法,其中该半球型矽晶粒层系于高真空下形成。10.一种动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,其上已形成有一场效电晶体,该场效电晶体包括一源极区与一汲极区;于该基底上形成一介电层;于该介电层上形成一阻障层;定义该阻障层与该介电层,形成一接触窗开口,裸露出该汲极区;于该接触窗开口中填入一第一导电层,以形成一接触窗;于该阻障层与该接触窗上形成一绝缘层;定义该绝缘层,形成一双重金属镶嵌开口,裸露出该接触窗;于该双重金属镶嵌开口中之该绝缘层与该接触窗上形成一掺杂非晶矽层;于该掺杂非晶矽层上形成一不具掺杂之非晶矽层;去除该绝缘层,以裸露出该掺杂非晶矽层与该不具掺杂之非晶矽层,形成该下电极之架构;于该掺杂非晶矽层与该不具掺杂之非晶矽层之表面形成一半球型矽晶粒层;于该半球型矽晶粒层上形成一介电膜层;以及于该介电膜层上形成一第二导电层。11.如申请专利范围第10项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该绝缘层之材质包括氧化矽。12.如申请专利范围第10项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该第一导电层之材质包括钨。13.如申请专利范围第10项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该掺杂非晶矽层与该不具掺杂之非晶矽层系在相同的反应室中形成。14.如申请专利范围第10项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该掺杂非晶矽层系在温度约为500-540℃之间形成。15.如申请专利范围第10项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该不具掺杂之非晶矽层系在温度约为470-530℃之间形成。16.如申请专利范围第10项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该掺杂非晶矽层之杂质掺杂系在形成非晶矽的同时执行。17.如申请专利范围第10项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,更包括以化学机械研磨法研磨该掺杂非晶矽层与该不具掺杂之非晶矽层,暴露出该绝缘层之表面。18.如申请专利范围第10项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该半球型矽晶粒层系于高真空下形成。19.如申请专利范围第13项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该半球型矽晶粒层系于高真空下形成。20.如申请专利范围第17项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该半球型矽晶粒层系于高真空下形成。21.如申请专利范围第10项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该第二导电层包括掺杂的复晶矽层。图式简单说明:第一图是动态随机存取记忆体元件之记忆胞的电路示意图;以及第二图A至第二图J,其绘示依照本发明一较佳实施例的一种动态随机存取记忆体的制造流程剖面图。 |
