| 主权项 |
1.一种制造用于积体电路之晶粒(die)的方法,其制 造方 法为对沉积在基体上的至少一层材料打样,且随后 将晶圆 分隔为晶粒,该方法包含下列步骤:在该晶圆上对 第一晶 粒中的至少一层打样(pattern),使得该第一晶粒具有 至 少一周边次级电路及一重复的中间次级电路;及对 该晶圆 上的多个晶粒重复该打样步骤,其中该晶粒为至少 两种长 度中的一种,较短的晶粒沿着该晶圆较短的平行侧 放置, 且较长的晶粒沿着该晶圆之较长的平行侧放置。2 .如申请专利范围第1项之方法,其中该晶粒含左周 边次 级电路及右周边次级电路。3.如申请专利范围第1 项之方法,其中该积体电路为一数 位记忆体,且其中该重复中间次级电路为记忆体胞 元之阵 列。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该积体电 路为一数 位微镜装置,且其中该重复中间次级电路为一镜元 件阵列 。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该打样步骤 对晶圆 的每一层上用单一网线(reticle)执行,该网线含一光 罩 ,其对应于该晶圆之每一次级电路的一层。6.如申 请专利范围第1项之方法,其中该变动长度随着该 中间次级电路的数目而变。7.一种具有晶粒之改 进晶圆,用于供印表机应用的数位微 镜装置,每一晶粒代表镜元件的延长阵列,及至少 一周边 次级电路,其中该项改进包含:配置该晶粒,使得该 晶圆 含多个晶粒,每一晶粒为至少两种变化长度中的一 种,且 平行横跨该晶圆,较短的晶粒沿着晶圆之较短之平 行侧放 置,而较长之晶粒沿着晶圆之较长平行侧放置,使 得每一 晶粒具有相同的左周边次级电路图样,一串包含镜 元件之 重复中间次级电路,及一右周边次级电路。8.如申 请专利范围第7项之晶圆,其中该晶圆含两种不同 长度之晶粒,每一种长度有多种晶粒。9.如申请专 利范围第7项之晶圆,其中该晶圆具有多于两 种不同长度的晶粒。10.如申请专利范围第7项之晶 圆,其中该变动长度相对于 该重复中间次级电路的变动数目。图式简单说明: 第一图 及第二图为依据本发明所制造的数位微镜装置(DMD )。第 三图说明依据本发明所制造的DMD上的晶圆。第四 图说明 如用于第三图之晶圆制造的〝切割及重复〞网线 。 |
