| 摘要 |
<P>L'invention concerne une mémoire non-volatile programmable comprenant une pluralité de rangées mémoire accessibles par un bus d'adresses (A), le nombre (m+n) de rangées étant supérieur au nombre (m) d'adresses utilisées sur le bus d'adresses, et des moyens pour associer des rangées choisies de la mémoire (1') à des adresses respectives, lesdits moyens comprenant une mémoire associative (4) ayant un emplacement programmable pour chaque rangée mémoire, ledit emplacement ayant un champ d'adresse (AF) et deux bits d'états (V, U), et étant prévu pour, en lecture, sélectionner sa rangée mémoire respective lorsqu'il contient l'adresse présente sur la bus d'adresses et que les deux bits d'états sont respectivement à un état inactif et actif.</P>
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