发明名称 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE MEMOIRE VIVE DYNAMIQUE A STRUCTURE ENTERREE
摘要 <P>En utilisant le procédé de double incrustation, on forme des fenêtres de contact (22, 24, 26) avec des profondeurs différentes en définissant un motif dans une seule couche diélectrique (18). De plus, une couche de métal qui est formée à l'intérieur de régions de connexion (20) est utilisée à titre d'interconnexions sans traitement supplémentaire, ce qui simplifie le processus de fabrication et réduit son coût.</P>
申请公布号 FR2775122(A1) 申请公布日期 1999.08.20
申请号 FR19980006531 申请日期 1998.05.25
申请人 UNITED INTEGRATED CIRCUITS CORP 发明人 HSIA LIANG CHOO;WU HONG JEN
分类号 H01L27/04;H01L21/285;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/108 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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