| 摘要 |
本发明公开了一种为半导体器件成膜的方法,采用乙硅烷(Si<SUB>2</SUB>H<SUB>6</SUB>)进行化学气相淀积,尽管是在较低温度下淀积成膜,仍可改进薄膜的淀积速度和分步覆盖,提高了半导体器件的生产率和可靠性。采用Si<SUB>2</SUB>H<SUB>6</SUB>和N<SUB>2</SUB>O或Si<SUB>2</SUB>H<SUB>6</SUB>和O<SUB>2</SUB>制作氧化膜;采用Si<SUB>2</SUB>H<SUB>6</SUB>和NH<SUB>3</SUB>制作氮化膜;采用Si<SUB>2</SUB>H<SUB>6</SUB>,N<SUB>2</SUB>O,以及NH<SUB>3</SUB>制作氧氮化膜;采用Si<SUB>2</SUB>H<SUB>6</SUB>,O<SUB>2</SUB>以及磷化氢,或四甲基原亚磷酯制作磷硅玻璃膜;采用Si<SUB>2</SUB>H<SUB>6</SUB>,O<SUB>2</SUB>,乙硼烷或四甲基原硼酯,以及磷化氢或四甲基原亚磷酯制作硼磷硅玻璃膜。本发明的方法的适用的设备系统有常压化学气相淀积系统,低压化学气相淀积系统,以及等离子体化学气相淀积系统。 |
