| 发明名称 | 半导体器件的生产方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体器件的生产方法包含:第一步骤,在半导体基片上通过第一绝缘膜形成下部互连,第二步骤,在包含下部互连的半导体基片上形成第二绝缘膜,第三步骤,在第二绝缘膜内形成到达下部互连的通孔,第四步骤,在第三步骤完成后,蚀刻包括侧面的下部互连的表面,在侧面处露出通孔的底部,而不将半导体暴露到空气中,第五步骤,在通孔内形成由导电材料制成的塞,第六步骤,在第二绝缘膜上形成将与塞相连的上部互连。 | ||
| 申请公布号 | CN1226081A | 申请公布日期 | 1999.08.18 |
| 申请号 | CN99100645.3 | 申请日期 | 1999.02.10 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 小川博 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
| 主权项 | 1．一种生产半导体器件的方法，其特征在于包含：第一步骤，在半导体基片(100,200)上通过第一绝缘膜(101,201)形成下部互连(102,202)；第二步骤，在包含所述下部互连的所述半导体基片上形成第二绝缘膜(103,203)；第三步骤，在所述第二绝缘膜内形成到达所述下部互连的通孔(105,205)；第四步骤，在第三步骤完成后，蚀刻包括侧面的所述下部互连的表面，在侧面处露出通孔的底部，而不将所述半导体基片暴露到空气中；第五步骤，在通孔内形成由导电材料制成的塞(106,206)；第六步骤，在所述第二绝缘膜上形成将与所述塞相连的上部互连(107,207)。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||