| 发明名称 | 在衬底中用于填充槽的方法 | ||
| 摘要 | 为了绝缘激活的区域,在所使用的措施中使用了通过所谓的浅槽绝缘(STI)进行的LOCOS绝缘。在本发明中利用臭氧启动的CVD方法的有选择的析出,以填充在硅衬底中蚀刻出的具有硅氧化物的浅槽。借助于所谓的PAIGE掩膜,光电阻挡物质的堆放和结构化能够以此省去,在此产生掩膜是非常复杂的。 | ||
| 申请公布号 | CN1226343A | 申请公布日期 | 1999.08.18 |
| 申请号 | CN97196723.7 | 申请日期 | 1997.07.22 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | N·埃尔贝尔;Z·加布里斯;B·纽雷特尔 |
| 分类号 | H01L21/762 | 主分类号 | H01L21/762 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
| 主权项 | 1．用于填充衬底中的至少一个槽的方法，具有如下的步骤：a)在衬底(1)上设置一个参考层(5；12)，b)该参考层(5；12)被结构化，c)在衬底(1)中产生一个槽(6)，并且d)在如此产生的结构上设置为了填充该槽所应用的材料。在此如此选择参考层(5；12)，用于填充槽(6)所使用的绝缘材料在参考层(5；12)上的增长速率至少小于用于填充槽(6)所使用的绝缘材料在要覆盖的槽(6)的表面上的增长速率2倍。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||