| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 首先,在一个有一个对准标记的半导体基片上形成一个导电层。然后,将光刻胶有选择性地形成在导电层的一个将要形成布线层的区域上和对准标记上。其后,用光刻胶作为一个掩膜,将导电层蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN1226077A | 申请公布日期 | 1999.08.18 |
| 申请号 | CN99100622.4 | 申请日期 | 1999.02.09 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 小室雅宏 |
| 分类号 | H01L21/027;H01L21/3213;H01L21/30 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1．一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括以下步骤：在半导体基片上形成一个有对准标记的导电层；在所述的要形成布线层的导电层的一个区域上和对准标记上有选择性地形成光刻胶；用所述的光刻胶作为掩膜对所述的导电层进行蚀刻。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||