高阻负载静态随机存取存储器

摘要

一种SRAM,包括各具有点对称结构的多个高阻存储单元。该存储单元具有各用接触栓做成的一对负载电阻。每个接触栓将第一驱动晶体管的漏极和第二驱动晶体管的栅极与电源线相连。每个转换晶体管的源/漏区经过接触栓连接到用第四层铝做成的位线上,该接触栓安装在具有使接触栓与地线绝缘的侧壁的通孔中,该地线用第三层多晶硅膜做成。

主权项

1．一种SRAM，包括半导体衬底，在所述半导体衬底上排列成矩阵的多个存储单元，为所述存储单元的每一列设置的一对位线，和为所述存储单元的每一行设置的一对字线，每个所述存储单元包括第一和第二驱动晶体管，第一转换晶体管，第二转换晶体管，第一电阻和第二电阻，其中每个驱动晶体管具有连接到地线上的源极，用第一扩散区做成的漏极，以及栅极；第一转换晶体管具有用所述第一驱动晶体管的所述第一扩散区做成的第一源/漏区，连接到一个所述位线上的第二源/漏区，和连接到相应的所述字线上的栅极；第二转换晶体管具有用所述第二驱动晶体管的所述第一扩散区做成的第一源/漏区，连接到另一个所述位线上的第二源/漏区，和连接到相应的所述字线上的栅极；第一电阻用第一接触栓做成，将所述第一驱动晶体管的所述第一扩散区和所述第二驱动晶体管的所述栅极与电源线相连；第二电阻用第二接触栓做成，将所述第二驱动晶体管的所述第一扩散区和所述第一驱动晶体管的所述栅极与所述电源线相连。