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发明名称 A doped semiconductor material,a method of manufacturing the doped semiconductor material,and a semiconductor device
摘要
申请公布号 GB9913900(D0) 申请公布日期 1999.08.18
申请号 GB19990013900 申请日期 1999.06.16
申请人 SHARP KABUSHIKI KAISHA 发明人
分类号 H01L21/22;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/223;H01L21/324;H01S5/20;H01S5/30;H01S5/32;H01S5/323 主分类号 H01L21/22
代理机构 代理人
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