发明名称 |
SUBMICRON METAL GATE MOS TRANSISTOR AND FORMATION THEREOF |
摘要 |
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申请公布号 |
JPH11224949(A) |
申请公布日期 |
1999.08.17 |
申请号 |
JP19980336093 |
申请日期 |
1998.11.26 |
申请人 |
SHARP CORP;SHARP MICROELECTRONICS TECHNOL INC |
发明人 |
HSU SHENG TENG;EVANS DAVID;NGUYEN TUE |
分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L21/60;H01L21/768;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/823 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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