| 发明名称 |
REACTION CHAMBER STRUCTURE OF DEPOSITION SYSTEM FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR200155045(Y1) |
申请公布日期 |
1999.08.16 |
| 申请号 |
KR19960005788U |
申请日期 |
1996.03.25 |
| 申请人 |
HYUNDAI MICRO ELECTRONICS CO.,LTD. |
发明人 |
SHIN, HEE-TAE |
| 分类号 |
H01L21/20;(IPC1-7):H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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