| 摘要 |
<P>Le procédé comprend les étapes suivantes : formation d'une première couche diélectrique (34), d'une couche de nitrure de silicium (35) et d'une couche d'oxyde (36) sur un substrat (30), formation d'une ouverture de contact et dépôt d'une couche conductrice (40) venant en contact avec le substrat, formation d'une première couche de silicium à grains hémisphériques (42) et d'une seconde couche diélectrique (44), enlèvement d'une partie de ces dernières pour mettre à nu une partie de la couche d'oxyde, formation d'une seconde couche conductrice (46) et d'une seconde couche de silicium à grains hémisphériques (48), enlèvement d'une partie de la seconde couche conductrice et de la seconde couche de silicium à grains hémisphériques, et enlèvement de la seconde couche diélectrique et de la couche d'oxyde.</P>
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