首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Verfahren zur Bildung von Siliziden bei der Herstellung von integrierten Schaltungen
摘要
申请公布号 DE69228525(T2) 申请公布日期 1999.08.12
申请号 DE1992628525T 申请日期 1992.12.10
申请人 AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US 发明人 MANOCHA, AJIT, ALLENTOWN, PENNSYLVANIA 18104, US;MERCHANT, SAILESH MANSINH, BETHLEHEM, PENNSYLVANIA 18017, US;SINGH, RANBIR, ALLENTOWN, PENNSYLVANIA 18052, US
分类号 H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/52;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/285 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com