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经营范围
发明名称
Verfahren zur Herstellung eines vertikalen MOS-Transistors
摘要
申请公布号
DE19746901(C2)
申请公布日期
1999.08.12
申请号
DE19971046901
申请日期
1997.10.23
申请人
SIEMENS AG, 80333 MUENCHEN, DE
发明人
SCHULZ, THOMAS, 44577 CASTROP-RAUXEL, DE;AEUGLE, THOMAS, DR.RER.NAT., 81735 MUENCHEN, DE;ROESNER, WOLFGANG, DR.RER.NAT., 81739 MUENCHEN, DE
分类号
H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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