| 主权项 |
1.一种在半导体晶圆上之绝缘层内形成金属图样之方法,该方法包括以下之步骤:a)在半导体晶圆上形成一层绝缘材料;b)使该绝缘层平坦化;c)在该绝缘层内形成图样;d)在该绝缘层上形成一层导电性材料;e)移除该导电层以曝露出该绝缘层;f)以一种对于该导电材料及该绝缘材料有相同等级之移除速率的泥浆作化学式机械磨光该曝露出来之绝缘层;以及其中该泥浆包括胶体矽石和过硫酸铵。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该绝缘材料是二氧化矽而导电材料是一种金属。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中该金属是钨。4.根据申请专利范围第2项之方法,其中该金属是钛。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中该胶体矽石是占泥浆的重量百分率5-12%。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中该胶体矽石是占泥浆的重量百分率8%。7.根据申请专利范围第5项之方法,其中该过硫酸铵的浓度是20-30克/公升。8.根据申请专利范围第6项之方法,其中该过硫酸铵的浓度是20克/公升。9.一种在半导体晶圆上之绝缘层内形成金属图样之方法,该方法包括以下之步骤:a)在半导体晶圆上形成一氧化层;b)使该氧化层平坦化;c)在该氧化层内形成图样;d)在该氧化层上形成一金属层;e)移除该金属层以曝露出该氧化层;f)以一种氨燻过的胶体矽石和过硫酸铵之泥浆作化学式机械磨光该曝露出之氧化层及残留在该图样内的金属。10.根据申请专利范围第9项之方法,其中该氨燻过的胶体矽石占泥浆之重量百分率5-12%。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中该氨燻过之胶体矽石占泥浆之重量百分率8%。12.根据申请专利范围第11项之方法,其中该过硫酸铵的浓度是20-30克/公升。13.根据申请专利范围第12项之方法,其中该过硫酸铵的浓度是20克/公升。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中该金属是钨。15.根据申请专利范围第13项之方法,其中该金属是钛。16.一种在半导体晶圆上之绝缘层内形成金属图样之方法,该方法包括以下之步骤:a)在半导体晶圆上形成一层二氧化矽;b)使该二氧化矽层平坦化;c)在该二氧化矽层内形成图样;d)在该二氧化矽层上形成一金属层;e)移除该金属层以曝露出该二氧化矽层;f)以一种氨燻过之胶体矽石(重量百分率5-12%)和过硫酸铵(20-30克/公升)之非选择性泥浆作化学式机械磨光该曝露出之二氧化矽层和残留于该图样内之金属。17.根据申请专利范围第16项之方法,其中该氨燻过之胶体矽石占泥浆之重量百分率8%。18.根据申请专利范围第17项之方法,其中该过硫酸铵之浓度为20克/公升。19.根据申请专利范围第18项之方法,其中该金属是钨。20.根据申请专利范围第18项之方法,其中该金属是钛。图式简单说明:第一图是显示出一种半导体晶片在使用根据本发明之修整式化学式机械磨光之前的横截面视图。第二图是显示第一图之半导体晶片在使用根据本发明之修整式化学式机械磨光之后的横截面视图。第三图是在使用一两步骤修整用之选择性泥浆之后,于5微米宽的钨线上方之区域的表面所作的轮廓仪扫描结果。第四图是在根据本发明之较佳具体实施例作修整之后,于第三图之相同区域所作的轮廓仪扫描结果。 |
