| 主权项 |
1.一种形成自我对准接触窗的方法,包括下列步骤:(a)提供一半导体基底;(b)在该半导体基底上形成一闸极电极;(c)在该闸极电极上表面形成一闸极覆盖氧化层;(d)在该闸极电极以及该闸极覆盖氧化层的侧壁形成一氧化间隙壁;(e)全面性形成一氮化矽层,其覆盖该闸极覆盖氧化层、该氧化间隙壁、以及该半导体基底表面;(f)在该氮化矽层的上方形成一氧化绝缘层;(g)选择性蚀刻该氧化绝缘层,用以形成一露出该氮化矽层的开口;以及(h)经由上述开口蚀刻该氮化矽层,用以在该氧化间隙壁的侧壁形成一氮化间隙壁,并且露出该氮化间隙壁旁侧之半导体基底而形成一自我对准接触窗。2.如申请专利范围第1项所述之形成自我对准接触窗的方法,其中步骤(b)与(c)形成该闸极电极以及闸极覆盖氧化层的方法包括:(i)在该半导体基底上形成一复晶矽层以及一氧化层;(ii)施以非等向性蚀刻法,蚀刻上述氧化层以及复晶矽层,用以形成该闸极覆盖氧化层以及该闸极电极。3.如申请专利范围第1项所述之形成自我对准接触窗的方法,其中步骤(e)该氮化矽层的厚度大约800 。4.如申请专利范围第1项所述之形成自我对准接触窗的方法,其中更包括植入离子,以在该闸极电极旁侧的半导体基底之表面形成一离子掺杂区域的步骤。5.如申请专利范围第4项所述之形成自我对准接触窗的方法,其中更括植入导电材料于该自我对准接触窗的步骤。图式简单说明:第一图-第四图A/第四图B系根据习知技术之形成自我对准接触窗的方法之制程剖面图;第五图-第八图系根据本发明之较佳实施例之形成自我对准接触窗的方法之制程剖面图。 |
