| 主权项 |
1.一种自行对准金属矽化物的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,该半导体基底上形成有一闸极电极与源/汲极区;形成一金属层覆盖该半导体基底,包括覆盖该闸极电极与源/汲极区;以一第一温度进行一热处理步骤,藉以使得接触该闸极电极与源/汲极区的该金属层形成一初期金属矽化物;去除未形成该初期金属矽化物的该金属层;以一第二温度进行该热处理步骤;以及使该第二温度快速上升至一第三温度,藉以使得该初期金属矽化物形成一金属矽化物。2.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物的制造方法,其中形成该金属层的方法包括一磁控DC溅镀法。3.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物的制造方法,其中去除未形成该初期金属矽化物的该金属层的方法,包括使用RCA溶液。4.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物的制造方法,其中该热处理步骤为一快速加热制程。5.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物的制造方法,其中该金属层之材质为钛。6.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物的制造方法,其中该第一温度约为600-750℃。7.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物的制造方法,其中该第二温度约为800-900℃。8.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物的制造方法,其中该第三温度约为900-1000℃。9.如申请专利范围第5项所述之自行对准金属矽化物的制造方法,其中该金属矽化物为矽化钛。10.如申请专利范围第5项所述之自行对准金属矽化物的制造方法,其中该初期金属矽化物为C49相。11.如申请专利范围第5项所述之自行对准金属矽化物的制造方法,其中该金属矽化物为C54相。图式简单说明:第一图A-第一图C是绘示习知自行对准金属矽化物之制造流程剖面图;第二图系绘示习知矽化钛相转变之温度对时间的示意图;第三图A-第三图C是绘示依照本发明一较佳实施例之一种自行对准金属矽化物之制造流程剖面图;以及第四图系绘示依照本发明一较佳实施例之一种矽化钛相转变之温度对时间的示意图。 |
