| 主权项 |
1.一种静态随机存取记忆体P通道薄膜电晶体之自动对准偏移结构,该P通道薄膜电晶体包括有一形成在半导体基板上之闸极、源极、汲极作为该静态随机存取记忆体之负载,其中该汲极、源极间具有一高阻値之偏移区,其特征在于该偏移区是形成于该汲极与源极间之闸极区域上,在不增加额外制程及光罩下,在闸极之光罩制程中,直接形成于该闸极区域。2.如申请专利范围第1项所述静态随机存取记忆体P通道薄膜电晶体之自动对准偏移结构,该偏移区之一端为开放端,另一端系封闭端,此封闭端系横向地跨越过源极与波极之通道区,并延伸于该闸极区域一适当距离。3.如申请专利范围第1项所述静态随机存取记忆体P通道薄膜电晶体之自动对准偏移结构,该偏移区的长度系介于0.3到0.4m之间。图式简单说明:第一图系显示构成一传统静态随机存取记忆体之结构,其中复晶矽PMOS薄膜电晶体之断面图;第二图系显示第一图之复晶矽PMOS薄膜电晶体在定义薄膜电晶体闸极时,闸极、源极、汲极间配置关系之顶视图;第三图系显示本发明之复晶矽PMOS薄膜电晶体在定义薄膜电晶体闸极时,闸极、源极、汲极间配置关系之顶视图;第四图系显示第三图中1-1断面之剖面图;第五图系显示本发明复晶矽PMOS薄膜电晶体之等效电路图。第六图系显示一P型MOS电晶体在不同电压状况下,有偏移区与不设偏移区,其闸极电压与电晶体电流之关系曲线图。 |
