发明名称 处理具条状脊缘图样之基材表面的方法与装置
摘要 一在其表面具有条状脊缘图样的基材被沿着输送带运送。与形成于基材表面的条状脊缘图样的方向与喷向基材表面上的流体方向间关系可被决定。该流体可以满足所决定处理该基材表面的关系条件喷出并吹向基材表面。它可以可靠地进行每一个基材的处理而不管基材表面上条状脊缘图样的方向不同。
申请公布号 TW366535 申请公布日期 1999.08.11
申请号 TW086119612 申请日期 1997.12.23
申请人 富士通股份有限公司 发明人 上村贡;浦口雅弘
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼号七楼;恽轶群 台北巿松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一基材处理方法包含步骤:(a)沿着输送带传送基材,该基材在其表面具有条状脊缘图样;(b)决定该基材其表面上所形成的条状脊缘图样之方向与喷出并吹向基材之流体间的关系;以及(c)沿着可满足步骤(b)所决定之关系的方向将流体喷至基材表面并处理该表面。2.依照申请专利范围第1项之基材处理方法,其中:该步骤(b)至少决定该基材之该方向与该流体喷出之该方向中之一,使得形成于该基材其表面上的该条状脊缘图样之该方向与该流体垂直投影在包含该基材表面所获得的影像间角度小于45。3.依照申请专利范围第1项之基材处理方法,其中:该步骤(b)包含一在至少两个依据形成于该基材表面上的该条状脊缘图样之该方向,使流体在不同方向喷出的喷射元件中,至少选择一个的步骤;该步骤(c)包含由所选定的该喷射元件喷出该流体的步骤。4.依照申请专利范围第3项之基材处理方法,其中:该步骤(c)进一步包含当沿着平行于该基材之该表面的虚拟平面移动该选定的喷射元件时,暂时停止输送该基材,并喷出该流体。5.依照申请专利范围第1项之基材处理方法,其中:该步骤(b)包含一藉由控制可改变喷射方向的喷射元件以设定所需喷射的方向的步骤;及该步骤(c)包含由该喷射元件在该所需方向喷射出该流体的步骤。6.依照申请专利范围第1项之基材处理方法,其中:该步骤(c)包含藉由在多数时间中周期性地转换该基材之输送方向使该基材之该表面暴露于该流体中。7.依照申请专利范围第1项之基材处理方法,其中:该步骤(b)进一步包含旋转该基材,使得在步骤(c)该流体喷射之该方向在该基材之该表面所得的影像与该基材之该表面上所形成该条状脊缘图样之该方向的角度小于45。8.依照申请专利范围第7项之基材处理方法,其中:该步骤(c)包含藉由在多数时间中周期性地转换该基材之输送方向使该基材之该表面暴露于该流体中。9.依照申请专利范围第1项之基材处理方法,其中:该步骤(b)包含依据形成于该基材之该表面上的该条状脊缘图样之该方向,将该基材分流至第一流出输送带或第二流出输送带的步骤;及该步骤(c)藉由将该流体喷射至沿着第一或第二流出输送带传送而来的该基材之该表面以处理该基材之该表面。10.依照申请专利范围第9项之基材处理方法,其中:该步骤(c)包含藉由在多数时间中周期性地转换该基材之输送方向使该基材之该表面暴露于该流体中。11.一基材处理装置包含:用以输送基材去处理之输送带;有彼此喷出流体于不同方向的第一和第二喷射元件,该第一和第二喷射元件藉由将该流体喷射至该基材之该表面以处理沿着该输送带传送而来的该基材之该表面;以及依据沿着该输送带传送而来该基材之该表面上所形成的该条状脊缘图样之该方向,选择该第一和第二喷射元件其中之一,并将该流体由选定的该喷射元件喷出的控制元件。12.依照申请专利范围第11项之基材处理装置,其中:该第一喷射元件所喷出之气流的该方向垂直投影在沿着该输送带传送而来的该基材之该表面上所获得的向量,与该输送带的该传送方向角度大于135且小于180;该第二喷射元件所喷出之气流的该方向垂直投影在沿着该输送带传送而来的该基材之该表面上所获得的向量,与该输送带的该传送方向角度大于90且小于135;及如果沿着该输送带传送而来该基材之该表面上所形成的该条状脊缘图样是平行于该输送方向时该控制元件使该第一喷射元件喷出该流体,如果沿着该输送带传送而来的该基材之该表面上所形成的该条状脊缘图样是垂直于该输送方向时该控制元件使该第二喷射元件喷出该流体。13.依照申请专利范围第12项之基材处理装置,其中:该控制元件进一步包括侦测形成于沿着该输送带传送而来的该基材之该表面上的该条状脊缘图样的该方向的方法。14.一基材处理装置包含:用以输送基材去处理之输送带;可改变流体喷出方向的喷射元件,该喷射元件藉由将流体喷向沿着该输送带传送而来的该基材之该表面以处理该基材之该表面;以及依据沿着该输送带传送而来的该基材之该表面上所形成的该条状脊缘图样之该方向,改变该喷射元件喷出方向的控制元件。15.依照申请专利范围第14项之基材处理装置,其中:该喷射元件可处理第一或第二种情形,该第一种情形是该喷射元件所喷出之该气流的该方向垂直投影在沿着该输送带传送而来该基材之该表面上所获得的向量,与该输送带的该传送方向角度大于135且小于180,且该第二种情况是该角度大于90且小于135;及如果沿着该输送带传送而来该该基材之该表面上所形成的该条状脊缘图样是平行于该输送方向时该控制元件使该喷射元件进行该第一种情况,如果沿着该输送带传送而来的该基材之该表面上所形成的该条状脊缘图样是垂直于该输送方向时该控制元件使该喷射元件进行该第二种情况的该控制元件。16.依照申请专利范围第15项之基材处理装置,其中:该控制元件进一步包含侦测形成于沿着该输送带传送而来的该基材之该表面上的该条状脊缘图样的该方向的方法。17.一基材处理装置包含:用以输送基材去处理之第一输送带;连接于该第一输送带之第二输送带;安置在该第一输送带与该第二输送带间基材旋转方法,该基材旋转方法可接收由该第一输送带传送而来的该基材,在基材平台上旋转该基材,将该基材送至该第二输送带;以及将流体喷至沿着该第二输送带传送而来的该基材之该表面上的喷射元件。18.依照申请专利范围第17项之基材处理装置,进一步包含依据沿着该输送带传送而来的该基材之该表面上所形成的该条状脊缘图样,藉由该基材旋转方法旋转基材至控制设定角度的控制元件。19.依照申请专利范围第18项之基材处理装置,其中如果沿着该输送带传送而来的该基材,在该表面上有该条状脊缘图样形成,该控制元件控制该基材旋转方法,使得由该喷射元件所喷出之该气流的该方向垂直投影在沿着该第二输送带传送而来的该基材之该表面上所获得的向量,与该条状脊缘图样交角度小于45。20.依照申请专利范围第19项之基材处理装置,其中该控制元件进一步包括侦测形成于沿着该第一输送带传送而来的该基材之该表面上的该条状脊缘图样的该方向的方法。21.一基材处理装置包含:用以输送基材去处理之流入输送带;连接于该流入输送带之第一和第二流出输送带;安置在该流入输送带与该第一和第二流出输送带间之分流方法,该基材旋转方法可接收由该流入输送带传送而来的该基材,并且将该基材送至该第一和第二流出输送带其中之一;以及用以分别对沿着该第一和第二流出输送带间而来的该基材之该表面喷出流体的第一和第二喷射元件。22.依照申请专利范围第21项之基材处理装置,其中依据沿着该流入输送带传送而来的该基材之该表面上所形成的该条状脊缘图样,分流元件决定该基材将被送至该第一和第二流出输送带中之一。23.依照申请专利范围第22项之基材处理装置,其中该分流元件进一步包括沿着该流入输送带传送而来的该基材之该表面上所形成的该条状脊缘图样的该方向之方法。24.一基材处理方法包含:(a)沿着输送带传送基材,该基材之该表面有条状脊缘图样形成其上;(b)依据该基材之该表面上所形成的该条状脊缘图样的该方向,决定扫描该基材之该表面的方向;及(c)当该流体吹向该基材之该表面时改变流体喷出之该方向,使得流体可一步骤(b)所决定的扫瞄方向扫过该基材之该表面。25.依照申请专利范围第24项之基材处理方法,其中该步骤(b)决定该扫瞄方向是平行于该基材传送的方向或垂直于传送该基材的方向。26.一基材处理装置包含:用以输送基材去处理之输送带;用以将流体喷至沿着输送带传送而来的该基材之该表面上的第一喷射元件,该第一喷射元件可使由该第一喷射元件喷出之该流体在该第一方向扫过该基材之该表面;及用以将流体喷至沿着输送带传送而来的该基材之该表面上的第二喷射元件,该第二喷射元件可使由该第二喷射元件喷出之该流体在不同于该第一方向的该第二方向扫过该基材之该表面。27.依照申请专利范围第26项之基材处理装置,进一步包括用以侦测形成于沿着该输送带传送而来的该基材之该表面上的该条状脊缘图样的该方向,并且依据侦测结果选择第一或第二喷射元件,同时由该选出喷射元件将流体喷至该基材之该表面。图式简单说明:第一图A至第一图C是显示根据本发明第一具体化之基材处理装置概要的平面图。第二图A至第二图C是显示根据第一具体化之修正的基材处理装置概要的平面图。第三图A至第三图D是显示根据本发明第二具体化之基材处理装置概要的平面图。第四图A至第四图E是显示第二具体化之基材处理装置的基材旋转机件的例子之简要前视图。第五图是显示根据本发明第三具体化之基材处理装置概要的平面图。第六图A至第六图C是显示第三具体化之基材处理装置的分流机件的例子之简要截面图。第七图是显示根据本发明第四具体化之基材处理装置概要的平面图。
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