| 主权项 |
1.一种真空断续器之接触电极,包含:一导电成份,包含至少选自由铜与银所构成之族群的其中之一;及一抗电弧成份,具有大于1500℃之熔化温度;在该接触电极之表面上的该接触电极之组成成份的梯度A/X量为0.2至12体积百分比/mm;其中X1为该接触电极之该表面上任意半径线R1上之一点;X2为该接触电极之该表面上任意半径线R1上的另一点;X为该点X1与该另一点X2之间的间隙,单位为mm,X=X2-X1且X2>X1≧0;A1为该接触电极中在该点X1所测量的该组成成份之量其单位为体积百分比;A2为该接触电极中在该另一点X2所测量的组成成份之量其单位为体积百分比;且A为该组成成份之该量A1与A2之差其单位为体积百分比,A=A2-A1。2.如申请专利范围第1项的真空断续器之接触电极,其中:该组成成份包括该导电成份。3.如申请专利范围第1项的真空断续器之接触电极,其中:该组成成份包括该抗电弧成份。4.如申请专利范围第1项的真空断续器之接触电极,其中:该抗电弧成份之量为该接触电极中之5%至75%体积百分比。5.如申请专利范围第1项的真空断续器之接触电极,其中:该抗电弧成份为至少选自由Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W所构成之族群的其中之一。6.如申请专利范围第1项的真空断续器之接触电极,其中:该抗电弧成份为至少选自由Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W的碳化物与硼化物所构成之族群的其中之一。7.如申请专利范围第1项的真空断续器之接触电极,进一步包含:一辅助成份,包含至少选自由Co、Ni、Fe所构成之族群的其中之一。8.如申请专利范围第1项的真空断续器之接触电极,进一步包含:一辅助成份,包含至少选自由Bi、Te、Pb、Sb所构成之族群的其中之一。9.如申请专利范围第1项的真空断续器之接触电极,其中:具有小于0.2体积百分比/mm之该梯度A/X的第一区域,及具有0.2至12体积百分比/mm之该梯度A/X的第二区域,共同存在于沿着该接触电极之该表面上之该半径R1线。10.如申请专利范围第1项的真空断续器之接触电极,其中:具有小于0.2体积百分比/mm之该梯度A/X的第一区域、具有0.2至12体积百分比/mm之该梯度A/X的第二区域、及具有大于12体积百分比/mm之该梯度A/X的第三区域,依此顺序存在于从中央至该接触电极的周边之方向上。11.如申请专利范围第1项的真空断续器之接触电极,其中:具有小于0.2体积百分比/mm之该梯度A/X的第一区域,存在于该接触电极之直径的圆心与沿着该接触电极之该表面上的该半径线R1之一点X1之间;且该第一区域及具有0.2至12体积百分比/mm之该梯度A/X的第二区域,共同存在于该一点X1与沿着该接触电极之该表面上的该半径线R1之该接触电极的周缘之间。12.如申请专利范围第1项的真空断续器之接触电极,包含:一基体,由第一导电成份所组成,包含至少选自由铜与银所构成之族群的其中之一;及一薄接触电极,安装在该基体上;该薄接触电极包括:一第二导电成份,包含至少选自由铜与银所构成之族群的其中之一;及一抗电弧成份,具有大于1500℃之熔化温度;且由该薄接触电极之表面上的该抗电弧成份与该第二导电成份组成的该薄接触电极之组成成份的梯度A/X量为0.2至12体积百分比/mm;其中X1为该薄接触电极之该表面上任意半径线R1上之一点;X2为该薄接触电极之该表面上任意半径线R1上的另一点;X为该点X1与该另一点X2之间的间隙,单位为mm,X=X2-X1且X2>X1≧0;A1为该薄接触电极中在该点X1所测量的该组成成份之量其单位为体积百分比;A2为该薄接触电极中在该另一点X2所测量的组成成份之量其单位为体积百分比;且A为该组成成份之该量A1与A2之差其单位为体积百分比,A=A2-A1。图式简单说明:第一图形为一剖面图,指出应用本发明之真空断续器的一个例子。 |
