半导体装置的晶圆构造

摘要

本创作系有关半导体装置的半导体基板的晶圆构造。此晶圆构造备有环状的圆区域及部份呈直线切割的平边区域，而为晶圆条码的雷射标记部份系形成于相对上述晶圆的平边区域的上部的圆区域内，且上述之雷射标记部份的晶圆条码具有约微米深的孔，且上述之雷射标记部份系以浅标记形成。如此所形成之晶圆，因雷射标记部份的孔内所残留的感光膜可以完全清洗，故对其后的成图工程可形成良好的微细成图，且因感光膜粉尘的减少即可防止Ｇ－瑕疵的产生。

主权项

1.一种当做半导体基板的半导体晶圆,该晶圆包括有:圆区域,其形成在晶圆的圆周之上;平坦区域,其系将晶圆圆周上直线切割一部份而形成;及雷射标记区域,其当做晶圆辨认用的条码,该雷射标记区域所形成的位置是该圆区域的上部份上且在该平坦区域的相对位置及与该平坦区域相隔离。2.如申请专利范围第1项所述的半导体晶圆,其中,晶圆辨认用的条码具有复数个约2微米深的孔。3.如申请专利范围第1项所述的半导体晶圆,其中,该雷射标记区域是使用浅标记(soft marking)形成。4.如申请专利范围第2项所述的半导体晶圆,其中,光阻材料在清洗过程中实质自该复数个孔中移除。图式简单说明:第一图A为在平面区域设有晶圆条码的习知晶圆平面构造图;第一图B为说明习知之晶圆条码而沿第一图中A-A'线所取的截面图;第一图C为第一图B中雷射标记部份的孔深的部份截面图;第二图为在习知的晶圆上所残留的感光膜粉尘,在湿式清洗装置的溶液槽,因化学涡流现象而向晶圆中央部移动的概略图;第三图A为本创作之晶圆构造平面图;第三图B为第三图A中雷射标记部份的孔深之部份截面图;第四图为本创作在晶圆上所残留的感光膜粉尘,在湿式清洗装置的溶液槽,因化学涡流现象而向晶圆外部移动的概略图。