发明名称 Verfahren zur Herstellung eines bipolaren Transistors
摘要
申请公布号 DE69324098(T2) 申请公布日期 1999.08.12
申请号 DE19936024098T 申请日期 1993.10.12
申请人 NCR INTERNATIONAL, INC., DAYTON, OHIO, US;HYUNDAI ELECTRONICS AMERICA, MILPITAS, CALIF., US;SYMBIOS, INC., FORT COLLINS, COL., US 发明人 ALLMAN, DERRYL DWAYNE JOHN, COLORADO SPRINGS, COLORADO 80920, US;KWONG, DIM-LEE, AUSTIN, TEXAS 78758, US
分类号 H01L21/225;H01L21/316;H01L21/331;H01L29/73;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/225;H01L21/22 主分类号 H01L21/225
代理机构 代理人
主权项
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