| 发明名称 | 半导体产品及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体产品的制造方法,包括以下步骤:至少在半导体衬底的一个表面上形成含有能够控制导电类型的元素的掺杂层,将掺杂层的表面更改成多孔状态以得到比掺杂层薄的多孔层,在多孔层上形成无孔层以制备第一产品,键合所述第一产品和第二产品以便生产出在其内部具有所述多孔层的多层结构,以及沿所述多孔层分离所述多层结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1225500A | 申请公布日期 | 1999.08.11 |
| 申请号 | CN98127198.7 | 申请日期 | 1998.12.25 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 坂口清文;米原隆夫 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．一种半导体产品的制造方法，包括步骤：在半导体衬底的至少一个表面上形成包含有能够控制导电类型的元素的掺杂层，更改掺杂层的表面为多孔状态以得到比掺杂层薄的多孔层，在多孔层上形成无孔层以制备第一产品，键合所述第一产品和第二产品以便生产出在其内部具有所述多孔层的多层结构，和将所述多层结构沿所述多孔层进行分离。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||