摘要 |
Die Erfindung bezieht sich auf eine unsymmetrische Schaltentlastungsanordnung (SC) für eine zwischen zwei Polen (+, -) einer Gleichspannungsquelle angeordneten Reihenschaltung zweier in gleicher Richtung gepolter, gategesteuerter Leistungshalbleiterschalter (V1, V2), denen jeweils eine Freilaufdiode (V3, V4) antiparallel geschaltet ist, wobei diese unsymmetrische Schutzbeschaltung (SC) einen Speicherkondensator (CS), einen Abschaltentlastungskondensator (CB) und zwei Abschaltentlastungsdioden (V5, V6) aufweist, die elektrisch in Reihe geschaltet sind. Erfindungsgemäß ist diesen elektrisch in Reihe geschalteten Abschaltentlastungsdioden (V5, V6) eine Entlastungsdiode (V7) elektrisch parallel geschaltet. Somit werden die Verluste der beiden Abschaltentlastungsdioden (V5, V6) erheblich reduziert, so daß diese Reihenschaltung der beiden Leistungshalbleiterschalter (V1, V2) an eine höhere Gleichspannung mit höherer Schaltfrequenz betrieben werden kann. <IMAGE>
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