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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Drain- oder Kollektorzone für monolythische Halbleiteranordnungen
摘要
申请公布号 DE69131390(D1) 申请公布日期 1999.08.05
申请号 DE1991631390 申请日期 1991.04.11
申请人 CONSORZIO PER LA RICERCA SULLA MICROELETTRONICA NEL MEZZOGIORNO, CATANIA, IT 发明人 ZAMBRANO, RAFFAELE, I-95037 SAN GIOVANNI LA PUNTA CT, IT
分类号 H01L21/336;H01L21/74;H01L21/8222;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/08;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/74;H01L29/06 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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