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<p>기존의 디램의 자발 리프레쉬 기능을 확대 적용하여, 디램에 파워가 들어왔을 경우 항상 리프레쉬를 수행하며, 외부로 부터 명령이 들어 왔을 경우, 기본적으로 수행중이던 리프레쉬 동작에 우월하여, 외부에서 들어온 명령에 대한 동작을 수행하게 함으로써, 디램 칩 외부로부터 리프레쉬 명령을 숨겨 에스램과 같이 리프레쉬가 필요하지 않으나 한개의 트랜지스터와 한개의 커패시턴스로 구성된 셀을 가진 메모리 소자를 제안하며, 그 구성회로를 예시하였다. 기본 동작은 비트라인 센스 앰프에 래치를 첨가하여 메모리 셀로 부터 데이터를 읽을때, 이 데이터를 래치로 옮겨 놓음으로써, 이후의 페이지 동작 동안 셀 어레이 영역에 리프레쉬를 수행할 수 있는 시간의 확보한다. 페이지 읽기 동작은 물론 쓰기 명령도 실제의 메모리 셀에 수행하는 것이 아니라, 이 래치를 대상으로 수행하며, 이후에 외부에서 들어오는 프리차지 명령시 래치의 데이터를 셀로 옮긴다. 또한 외부에서 들어오는 명령이 이미 수행중인 리프레쉬 동작에 의해 지연되는 것을 최소화하기 위하여, 비트라인 센스 앰프 바로 옆에, 더미셀을 위치시켜, 리프레쉬 동작시 일반 워드라인과 이 셀에 대한 워드라인이 중첩하여 동작하도록 설계하였으며, 이 더미셀을 이용하여, 리프레쉬의 동작을 센싱과 리스토아의 독립된 두 부분으로 분리 시켰다. 한편 본 발명에서 새롭게 위치 시킨 디램 셀에 대한 비트 라인을 다수개의 셀이 연결되어진 기존의 비트라인과 연결 및 분리 동작을 수행함으로써, 독립된 각각의 동작 시간을 최소화 시켰다.</p> |
