发明名称 High Speed Embedded Memory and Circuit
摘要 <p>기존의 싱크로너스 디램과의 호환성을 유지하면서 임베디드 메모리 구조에 사용되는 캐시를 포함한 메모리구조 및 회로로서 다수개의 비트라인의 데이타를 각각 프로그래머블한 전류형태로 저장하는 캐시를 제안하며 그 구성회로를 예시하였다. 다수개의 캐시블럭중에 컬럼어드레스에 의해 특정 캐시블럭을 선택할 수 있으며 로우어드레스로부터 서브메모리블럭을 지정하여 상기 특정 캐시블럭에 전류형태의 데이타를 자장하게된다. 싱크로너스 디램과의 호환모드인 경우에는 전류형태의 전송을 하기때문에 컬럼 억세스시간이 빠르며 제안된 임베디드 메모리 동작을 할 경우에는 싱크로너스 디램과 달리 로우미스가 날 경우에도 메모리 셀의 데이타를 읽기위한 워드라인을 활성화 할 필요가 없이 캐시에 저장된 데이타를 독출하는 캐시동작을 통해 억세스시간을 빠르게 할 수 있다.</p>
申请公布号 KR19990064618(A) 申请公布日期 1999.08.05
申请号 KR19990013702 申请日期 1999.04.17
申请人 null, null 发明人 정세진;김태진;이현석
分类号 G11C11/407 主分类号 G11C11/407
代理机构 代理人
主权项
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