发明名称 | 采用连续化学处理制造电子元件的湿处理方法 | ||
摘要 | 本发明涉及电子元件前体制造的湿处理方法,如集成电路中的半导体晶片。更为具体地说,本发明涉及采用连续化学处理技术来对电子元件前体进行诸如预扩散清洗,脱膜和蚀刻等处理的方法。 | ||
申请公布号 | CN1225042A | 申请公布日期 | 1999.08.04 |
申请号 | CN97196376.2 | 申请日期 | 1997.07.14 |
申请人 | CFMT公司 | 发明人 | 史蒂文·维哈维贝克;克里斯托弗·F·姆康尼尔;查尔斯·F·特里斯尔 |
分类号 | B08B3/02;B08B3/04 | 主分类号 | B08B3/02 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王达佐 |
主权项 | 1.一种电子元件前体制造的方法,包括:a)将电子元件前体置于反应室内;以及b)使所说的电子元件前体的表面与一系列的活性化学处理液在选定的时间内接触,而不用将电子元件前体从反应室中移出,其中所说的接触包括连续地使所说的电子元件前体暴露于至少两种活性化学处理液。 | ||
地址 | 美国特拉华州 |