| 发明名称 | 真空管触点材料及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种真空管接点材料，包括一种防弧成份，其包含选自于由钽、铌、钨和钼组成的元素族中的至少一种；和一种辅助成份，其包含选自于由铬、钛、钇、锆、钴和钒组成的元素族中的至少一种。接点材料进一步包括一种导电成份，其包含选自于由铜和银组成的族中的至少一种。防弧成份的体积量从２５％至７５％。防弧成份以及辅助成份的总量不超过体积的７５％。其余为导电成份的量。 | ||
| 申请公布号 | CN1044529C | 申请公布日期 | 1999.08.04 |
| 申请号 | CN94100518.6 | 申请日期 | 1994.01.20 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 关经世;奥富功;山本敦史 |
| 分类号 | H01H1/02 | 主分类号 | H01H1/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 马浩 |
| 主权项 | 1．一种真空管接点材料，包括：一种防弧成份，其包含选自由钽、铌、钨和钼组成的元素族中的至少一种；一种辅助成份，其包含选自于由铬、钛、钇、锆、钴和钒组成的元素族中的至少一种和一种导电成份，其包含选自于由铜和银组成的元素族中的至少一种，其特征在于：所述防弧成份的体积量为25％至75％，所述防弧成份与所述辅助成份的总体积量不超过75％，以及所述导电成份的量为其余部分。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||