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发明名称 PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DUAL GATE STRUCTURE
摘要
申请公布号 KR100212455(B1) 申请公布日期 1999.08.02
申请号 KR19960051779 申请日期 1996.11.04
申请人 KOREA ELECTRONICS & TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE 发明人 HYUN, YOUNG-CHUL;YOO, HYUN-KU
分类号 H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/336;H01L29/49;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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