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发明名称 SI/SIGE MOS FET TRANSISTOR AND ITS FABRICATION PROCESS
摘要
申请公布号 KR100212693(B1) 申请公布日期 1999.08.02
申请号 KR19960065726 申请日期 1996.12.14
申请人 KIRYUNG ELECTRONICS CO., LTD.;SAMJIN CO., LTD.;KOREA ELECTRONICS & TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE 发明人 YOUM, BYUNG-RYUL;LEE, SU-MIN;JO, DEOK-HO;HAN, TAE-HYUN
分类号 H01L27/06;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/45;(IPC1-7):H01L27/06 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
主权项
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