发明名称 |
DIFFERENTIAL PAIR BASED TRANSCONDUCTANCE ELEMENT WITH IMPROVED LINEARITY AND SIGNAL TO NOISE RATIO |
摘要 |
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申请公布号 |
KR100214456(B1) |
申请公布日期 |
1999.08.02 |
申请号 |
KR19920003980 |
申请日期 |
1992.03.11 |
申请人 |
SILICON SYSTEMS, INC. |
发明人 |
DEVEIRMAN, GEERT A.;HENNEUSE, PAUL R. |
分类号 |
H03F1/42;H03F1/32;H03F3/34;H03F3/45;(IPC1-7):H03K17/00 |
主分类号 |
H03F1/42 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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