发明名称 | 能抑制驱动电流改变的光反射半导体元件 | ||
摘要 | 一种光发射半导体元件包括生长在包层或中间层上的第一附加层。第一附加层的晶格常数不同于半导体衬底的第二晶格常数。光发射半导体元件安装到散热片上以形成激光器元件。散热片使光发射结构产生形变。在那里第一附加层产生应变并且抑制形变的影响。 | ||
申请公布号 | CN1224260A | 申请公布日期 | 1999.07.28 |
申请号 | CN98124880.2 | 申请日期 | 1998.11.27 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 大矢昌辉;远藤健司 |
分类号 | H01S3/18;H01L33/00 | 主分类号 | H01S3/18 |
代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
主权项 | 1.一种光发射半导体元件,其特征在于,其中包括具有第一导电型和第一晶格常数的半导体衬底,用于在所述半导体衬底上生长双异质结的具有第二导电型的包层,生长在所述包层上的中间层,和加进到所述包层或者所述中间层中的第一附加层,该附加层具有不同于第一晶格常数的第二晶格常数。 | ||
地址 | 日本国东京都 |