发明名称 能抑制驱动电流改变的光反射半导体元件
摘要 一种光发射半导体元件包括生长在包层或中间层上的第一附加层。第一附加层的晶格常数不同于半导体衬底的第二晶格常数。光发射半导体元件安装到散热片上以形成激光器元件。散热片使光发射结构产生形变。在那里第一附加层产生应变并且抑制形变的影响。
申请公布号 CN1224260A 申请公布日期 1999.07.28
申请号 CN98124880.2 申请日期 1998.11.27
申请人 日本电气株式会社 发明人 大矢昌辉;远藤健司
分类号 H01S3/18;H01L33/00 主分类号 H01S3/18
代理机构 中科专利代理有限责任公司 代理人 刘晓峰
主权项 1.一种光发射半导体元件,其特征在于,其中包括具有第一导电型和第一晶格常数的半导体衬底,用于在所述半导体衬底上生长双异质结的具有第二导电型的包层,生长在所述包层上的中间层,和加进到所述包层或者所述中间层中的第一附加层,该附加层具有不同于第一晶格常数的第二晶格常数。
地址 日本国东京都