| 发明名称 | 腐蚀硅层的方法 | ||
| 摘要 | 在硅衬底上形成栅氧化膜和多晶硅层,并在多晶硅层上形成光刻胶图形。用光刻胶作掩模,利用如CF<SUB>4</SUB>、CHF<SUB>3</SUB>、CH<SUB>2</SUB>F<SUB>2</SUB>、和C<SUB>4</SUB>F<SUB>8</SUB>等CF型气体或包括CF类气体的混合气体腐蚀硅层的一半。在腐蚀孔的侧壁上留下了碳氟化合物型淀积物。然后,利用Cl<SUB>2</SUB>、HBr、SF<SUB>6</SUB>、和O<SUB>2</SUB>中的一种气体腐蚀其余的硅膜。可以在腐蚀后提供具有倾斜侧壁的构形。 | ||
| 申请公布号 | CN1224234A | 申请公布日期 | 1999.07.28 |
| 申请号 | CN99100182.6 | 申请日期 | 1999.01.15 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 满生彰 |
| 分类号 | H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;余朦 |
| 主权项 | 1．一种腐蚀硅层的方法，包括以下步骤：在硅层上形成掩模图形；利用CF型气体或包括CF型气体的混合气体腐蚀所说硅层的一半；利用Cl2、HBr、SF6、和O2中的至少一种气体腐蚀其余的所说硅层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||