METHOD FOR PRODUCING LAYERED STRUCTURES ON A SUBSTRATE, SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR COMPONENTS PRODUCED ACCORDING TO SAID METHOD

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von schichtartigen Gebilden, bei dem auf oder aus einem, beispielsweise aus monokristallinem p-Typ oder n-Typ Si bestehenden Substrat eine Hohlräume aufweisende, vorzugsweise poröse Materialschicht erzeugt wird und daraufhin das schichtartige Gebilde oder ein Teil davon auf die Hohlräume aufweisende oder poröse Materialschicht aufgebracht und anschliessend das schichtartige Gebilde oder ein Teil davon unter Anwendung der Hohlräume aufweisenden oder porösen Schicht als Solltrennstelle, beispielsweise durch die Erzeugung einer mechanischen Spannung innerhalb der Hohlräume aufweisenden oder porösen Schicht oder an einer Grenzfläche der Hohlräume aufweisenden oder porösen Schicht vom Substrat getrennt wird. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass die Oberfläche des Substrats vor der Erzeugung der porösen Schicht strukturiert wird, oder dass die Oberfläche der porösen Schicht strukturiert wird.