利用HO电浆处理薄膜电晶体(TFT)的制造方法

摘要

一种利用H2O电浆处理薄膜电晶体(Thin Film Transistor，TFT)的制造方法，其步骤包括形成一复晶矽闸极于一表面已长有氧化层之矽基底上；形成一闸极氧化层于上述复晶矽闸极和上述氧化层上；形成一非晶矽层于闸极氧化层上；实施加热处理；形成一源极和一汲极于上述非晶矽层之两端，其中间区域即为薄膜电晶体的通道；形成一保护层和导电层于上述非晶矽层上；以及实施H2O电浆处理，其由微波来加热做为例子，这种加热方式是有别于传统的利用rf(radio frequency)来加热，而此H2O电浆处理可增加Ｉon/Ｉoff比率和减低次临界摆动(Subthresheld swing)，进而提高薄膜电晶体之工作性能。

主权项

1.一种利用H2O电浆处理薄膜电晶体的制造方法,适用于表面已长有一介电层之一矽基底,其包括:形成一复晶矽闸极层于该介电层上;形成一闸极介电层于该介电层和该复晶矽闸极层上;形成一非晶矽层于该闸极介电层上;实施一加热处理;形成一源极和一汲极于该非晶矽层之两端;形成一保护层和一导电层于该非晶矽层上;以及实施一H2O电浆处理。2.如申请专利范围第1项之该种利用H2O电浆处理薄膜电晶体的制造方法,其中该H2O电浆处理更通入一氧气和一氮气。3.如申请专利范围第1项之该种利用H2O电浆处理薄膜电晶体的制造方法,其中该H2O电浆是经由加热一水蒸气而形成。4.如申请专利范围第3项之该种利用H2O电浆处理薄膜电晶体的制造方法,其中加热是藉由约350℃之微波(频率2.45GHz)来完成。5.如申请专利范围第1项之该种利用H2O电浆处理薄膜电晶体的制造方法,其中该H2O电浆处理分为一披覆阶段和一脱去阶段。6.如申请专利范围第5项之该种利用H2O电浆处理薄膜电晶体的制造方法,其中该披覆阶段之电力供应约为1400W,压力约为2.0Torr,H2O流量约为500sccm,处理时间约为120sec,盘温约为220℃。7.如申请专利范围第5项之该种利用H2O电浆处理薄膜电晶体的制造方法,其中该脱去阶段之电力供应约为1400W,压力约为2.0Torr,H2O流量约为300sccm,O2流量约为3500sccm,N2流量约为200sccm,处理时间约为180min,盘温约为220℃。8.如申请专利范围第1项之该利用H2O电浆处理薄膜电晶体的制造方法,其中该加热处理温度约为600℃,时间为约为10-24小时。9.如申请专利范围第1项之该利用H2O电浆处理薄膜电晶体的制造方法,其中该复晶矽闸极层之厚度约为550埃。10.如申请专利范围第1项之该利用H2O电浆处理薄膜电晶体的制造方法,其中该闸极介电层之厚度约为300埃。11.如申请专利范围第1项之该利用H2O电浆处理薄膜电晶体的制造方法,其中该非晶矽层之厚度约为300埃。12.如申请专利范围第1项或第10项之该利用H2O电浆处理薄膜电晶体的制造方法,其中该闸极介电层为一闸极氧化层。13.如申请专利范围第1项之该利用H2O电浆处理薄膜电晶体的制造方法,其中该保护层为一玻璃层。14.如申请专利范围第1项之该利用H2O电浆处理薄膜电晶体的制造方法,其中该导电层为一金属层。图式简单说明:第一图系昔知技术所完作之薄膜电晶体的剖面图。第二图A-第二图I系本发明一较佳实施例之薄膜电晶体制程方法的剖面图。第三图系经H2O和H2电浆处理后薄膜电晶体之转移特性曲线之比较。第四图系薄膜电晶体经不同时间H2O电浆处理后之转移特性曲线之比较。