| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆装置的编程方法,该非挥发性 记忆装 置包括复数记忆单元,经区分为复数区块,系根据 多阶临 限电压以储存多阶资料;该非挥发性记忆装置的编 程方法 包括:侦测欲编程于该等区块一者之该等记忆单元 的复数 程式资料;以及基于所侦测得该等区块之该一者该 等记忆 单元之一第一群组所欲编程的第一値、以及该等 记忆单元 之一第二群组所欲编程的第二値,连续地施加对应 于该第 一値的一第一编程电压予该第一群组与该第二群 组保持于 一第一电位、以及施加对应于该第二値的一第二 编程电压 予该第二群组。2.如申请专利范围第1项所述之该 非挥发性记忆装置的编 程方法,其中,该第二编程电压相对于该第一电位 大于该 第一编程电压相对于该第一电位。3.如申请专利 范围第1项所述之该非挥发性记忆装置的编 程方法,其中,除该等第一和第二群组之外,基于该 等区 块之该一者该等记忆单元之一第三群组所欲编程 的第三値 ,该第一和第二编程电压施加步骤施加该第一编程 电压与 该第二编程电压至该第三群组;以及,该方法包括 施加对 应于该第该三値的一第三编程电压的步骤予该第 三群组。4.如申请专利范围第3项所述之该非挥发 性记忆装置的编 程方法,其中,该第三编程电压相对于该第一电位 大于该 第二编程电压相对于该第一电位。5.如申请专利 范围第1项所述之该非挥发性记忆装置的编 程方法,其中,该等第一和第二编程电压是经一相 对应字 元线及于该等记忆单元该等第一和第二群组的控 制闸处; 以及,在该等第一和第二编程时序下,以选择脉冲 经相对 应位元线及于该等记忆单元该等第一和第二群组 汲极处。图式简单说明:第一图系显示一电性可抹 除编程唯读记忆 体典型记忆单元的剖面图;第二图系显示实现一平 行编程 操作之一习知快闪式电性可抹除编程唯读记忆体 的方块图 ;第三图系显示揭示于出版物内用以编程一多阶记 忆单元 一阶梯式状上升编程电压的图示;第四图系显示多 阶记忆 单元编程后临限电压变动的图示;第五图系显示以 各自编 程电压编程后临限电压和编程时间的关系图;第六 图系显 示样本临限电压变动与以编码时间为横座标的图 示;第七 图系显示施以较高编程电压类似第四图的图示;第 八图系 显示根据本发明一实施例多阶记忆单元编程后临 限电压变 动图示;第九图系显示根据第八图实施例编程程序 流程图 之部份;第十图系显示第九图流程图的其余部份; 第十一 图A-第十一图G系显示使用于第九图和第十图实施 例内之 编程电压的波形图;第十二图系显示实现第九图和 第十图 编程程序一快闪式电性可抹除编程唯读记忆体的 方块图; 第十三图-第十五图系显示第九图和第十图实施例 内一相 对应流程编程时间图示;以及第十六图系显示较于 习知技 术本发明实施例优异处之列表。 |
