| 主权项 |
211033-11.一种抛光方法,包括步骤:由转动及滑动表面上保持有固定磨粒之一磨轮,同时供应自由磨粒于欲抛光之构件之表面上,以抛光欲抛光之构件之表面;其中,该磨轮由一软性黏合剂及一小孔形成剂黏合固定磨粒所构成。2.如申请专利范围第1项所述之抛光方法,其中,该软性黏合剂由密胺树脂,氨基甲酸乙酯树脂,或苯酚树脂制造。3.如申请专利范围第1项所述之抛光方法,其中,自由磨粒之平均粒大小与固定磨粒之平均粒大小之比率在约1/6至1/3之范围。4.如申请专利范围第1项所述之抛光方法,另包括步骤:执行主抛光,以获得抛光表面之平面化,及然后,由改变主抛光所用之磨轮及/或磨粒材料之种类,执行副抛光,以获得抛光表面之表面特征。5.一种抛光方法,包括步骤:由滑动表面上保持有固定磨粒之一磨料,同时供应自由磨粒于该表面上,以抛光欲抛光之构件之表面;其中,该磨料由一软性黏合剂及一小孔形成剂黏合固定磨粒所构成。6.一种用以抛光欲抛光之一构件之表面之磨料,包含:由软性黏合剂保持于磨料之表面上之磨粒。7.如申请专利范围第6项所述之磨料,其中,该磨料为一磨轮,转动及滑动于欲抛光之表面上。8.一种抛光装置,包含:用以支持欲抛光之构件之装置;用以供应自由磨粒于欲抛光之构件之表面上之装置;及一磨轮,在其表面上具有由软性黏合剂保持之磨粒,该磨轮转动及滑动于欲抛光之构件之表面上。图式简单说明:第一图A及第一图B显示半导体晶片之抛光方法;第二图显示本发明之实施例之功能;第三图A及第三图B为显微照片,各显示本发明之磨轮之表面之微结构;第四图显示本发明之实施例之一例之构造;及第五图显示本发明之另一实施例之构造。 |
