发明名称 | 厚膜电阻器及其制备方法 | ||
摘要 | 一种厚膜电阻器组合件,含有:(a)绝缘基质,(b)在绝缘基质的表面上形成的电阻器层,(c)带含有Ag粉和钯或铂或它们的混合物的第一Ag导电层的一对导电垫片,该Ag导电层在绝缘基质上与电阻器层隔开预定的间距放置,从而以导电电阻路径的方向夹住所说的电阻器层;和(d)含有Ag而无钯或铂或它们的混合物的导电组合物的第二Ag导电层,它们铺设在电阻器层和导电垫片的边缘,从而以将电阻器层电连接到导电垫片上形成导电电阻路径。 | ||
申请公布号 | CN1223445A | 申请公布日期 | 1999.07.21 |
申请号 | CN98111669.8 | 申请日期 | 1998.12.24 |
申请人 | 纳幕尔杜邦公司 | 发明人 | 村上守;松野久;早川佳一郎 |
分类号 | H01C7/00;H01C17/06;H01C17/30;H01C1/14 | 主分类号 | H01C7/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 钟守期 |
主权项 | 1.厚膜电阻器组合件,含有:(a)绝缘基质,(b)在绝缘基质的表面上形成的电阻器层,(c)带含有Ag粉和钯或铂或它们的混合物的第一Ag导电层的一对导电垫片,该Ag导电层在绝缘基质上与电阻器层隔开预定的间距放置,从而以导电电阻路径的方向夹住所说的电阻器层;和(d)含有Ag导电组合物而无钯或铂或它们的混合物的第二Ag导电层,它们铺设在电阻器层和导电垫片的边缘上,将电阳器层电连接到导电垫片上形成导电电阻路径。 | ||
地址 | 美国特拉华州 |